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ALD 原子層沉積原理通過(guò)在工藝循環(huán)周期內分步向真空腔內添加前驅體、實(shí)現對膜層厚度的精確控制。區別于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉積超薄的、無(wú)針孔和顆粒的膜層，例如在3D結構上沉積幾個(gè)納米厚的薄膜，同時(shí)具有出色的均勻性和優(yōu)秀的保形比。